[IOP] Suppressing punch-through and boosting breakdown voltage in p-GaN gate HEMTs by employing aβ-Ga2O3back-barrier

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uestcly 发表于 6 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Physica Scripta

文献作者:Xinyu Wu; Xinglin Ren; Fuda Liao; Xiao Wang; Wei Zhao; Chenguang He; Zhenlin Miao; Shuti Li

出版日期:2026-7-3

DOI号:10.1088/1402-4896/ae82a0

下载链接:https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1402-4896/ae82a0

文献链接:https://doi.org/10.1088/1402-4896/ae82a0

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ZHANG19222 发表于 6 天前 | 显示全部楼层

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