Split-Gate Power SiC MOSFET With P+Buffer for Enhanced Single-Event Radiation Hardness

发表于 2026-7-7 14:33:31

期刊：IEEE Transactions on Electron Devices

文献作者：Yuzhi Chen; Chao Wang; Chi Li; Zedong Zheng; Weiwei He; Hu Jin; Jun Xu

出版日期：2026-6-

DOI号：10.1109/ted.2026.3680382

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11475649

文献链接：https://doi.org/10.1109/ted.2026.3680382

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。

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