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[AAAS] [补充材料]Negative capacitance overcomes Schottky-gate limits in GaN high-electron-mobility transistors

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123456321 发表于 2026-7-8 15:33:03 | 显示全部楼层 |阅读模式

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期刊：Science

文献作者：Asir Intisar Khan; Jeong-Kyu Kim; Urmita Sikder; Koushik Das; Thomas Rodriguez; Rohith Soman; Srabanti Chowdhury; Sayeef Salahuddin

出版日期：2025-7-31

DOI号：10.1126/science.adx6955

下载链接：https://www.science.org/doi/pdf/10.1126/science.adx6955

文献链接：https://doi.org/10.1126/science.adx6955

当前文献来源于 American Association for the Advancement of Science (AAAS)。

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