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[IOP] Effective channel mobility in phosphorus-treated 4H-SiC (0001) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with various p-body doping concentrations

lei2022 发表于 2026-7-9 20:22:16 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics

文献作者：Koji Ito; Masahiro Horita; Jun Suda; Tsunenobu Kimoto

出版日期：2022-9-1

DOI号：10.35848/1347-4065/ac87e4

下载链接：https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac87e4

文献链接：https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac87e4

当前文献来源于 IOP Publishing。


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