[Elsevier/Sciencedirect] Local strain modification effects on global properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

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gtxy 发表于 2026-7-12 15:19:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Microelectronic Engineering

文献作者:Nahid Sultan Al-Mamun; Maxwell Wetherington; Douglas E. Wolfe; Aman Haque; Fan Ren; Stephen Pearton

出版日期:2022-6-

DOI号:10.1016/j.mee.2022.111836

下载链接:https://www.sciencedirect.com/sc ... 167931722001307/pdf

文献链接:https://doi.org/10.1016/j.mee.2022.111836

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