[ACS] Bandgap Engineering and Oxygen Vacancy Defect Electroactivity Inhibition in Highly Crystalline N-Alloyed Ga2O3 Films through Plasma-Enhanced Technology

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水影 发表于 2026-7-13 13:41:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:The Journal of Physical Chemistry Letters

文献作者:Huaile He; Chao Wu; Haizheng Hu; Shunli Wang; Fabi Zhang; Daoyou Guo; Fengmin Wu

出版日期:2023-7-20

DOI号:10.1021/acs.jpclett.3c01368

下载链接:https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acs.jpclett.3c01368

文献链接:https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.3c01368

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