Internal Field Optimization Using a Localized Bottom SiO2in Vertical β-Ga2O3FinFETs

发表于 2026-7-15 17:22:37

期刊：2026 IEEE 38th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

文献作者：Gaofu Guo; Anjing Luo; Tiwei Chen; Zhucheng Li; Yu Li; Dengrui Zhao; Yi Li; Li Zhang; Chunhong Zeng; Xiaodong Zhang; Zhongming Zeng; Xianqi Dai; Baoshun Zhang

出版日期：2026-5-24

DOI号：10.1109/ispsd64561.2026.11553619

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11553619

文献链接：https://doi.org/10.1109/ispsd64561.2026.11553619

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