1700 V High-Performance GaN HEMTs on 6-inch Sapphire With 1.5 μm Thin Buffer

发表于 2026-7-15 22:45:41

期刊：IEEE Electron Device Letters

文献作者：Xiangdong Li; Junbo Wang; Jincheng Zhang; Zhanfei Han; Shuzhen You; Long Chen; Lezhi Wang; Zilan Li; Weitao Yang; Jingjing Chang; Zhihong Liu; Yue Hao

出版日期：2024-1-

DOI号：10.1109/led.2023.3335393

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=10325497

文献链接：https://doi.org/10.1109/led.2023.3335393

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。

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发表于 2026-7-15 22:45:42

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