[IEEE] Thermal Dissipation in GaN-on-Sapphire Power HEMTs: Synergy of Substrate Thinning and High-Conductivity Thermal Interface Materials

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coolgale 发表于 2026-7-15 22:51:20 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:2025 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia)

文献作者:Chang Liu; Junsong Jiang; Kun Tan; Jie Lu; Suxia Guo; Cungang Hu; Zhaofu Zhang; Xi Tang; Wenping Cao

出版日期:2025-8-15

DOI号:10.1109/wipda-asia63772.2025.11184084

下载链接:https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11184084

文献链接:https://doi.org/10.1109/wipda-asia63772.2025.11184084

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