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[其他期刊] Influence of the carrier wafer during GaN etching in Cl2 plasma

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水影 发表于 2026-7-16 11:25:19 | 显示全部楼层 |阅读模式

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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A

文献作者：Thibaut Meyer; Camille Petit-Etienne; Erwine Pargon

出版日期：2022-3-1

DOI号：10.1116/6.0001478

下载链接：https://pubs.aip.org/avs/jva/art ... 023202_1_online.pdf

文献链接：https://doi.org/10.1116/6.0001478

当前文献来源于 American Vacuum Society。

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