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[Springer] An Ultrahigh-Voltage SiC Superjunction MOSFET with Split Dummy Gate for Improving Switching and Short-Circuit Capability

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lixiang 发表于 2026-7-20 09:21:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：Journal of Electronic Materials

文献作者：Lixin Geng; Ruifeng Yue; Yan Wang

出版日期：2025-9-

DOI号：10.1007/s11664-025-12170-5

下载链接：https://link.springer.com/conten ... 664-025-12170-5.pdf

文献链接：https://doi.org/10.1007/s11664-025-12170-5

当前文献来源于 Springer Science and Business Media LLC。


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