[IEEE] High-Performance 4H-SiC EUV Photodiode With Lateral p-n Junction Fabricated by Selective-Area Ion Implantation

 关闭 求助已关闭
GOOLE 发表于 2026-7-23 12:40:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏10积分

期刊:IEEE Electron Device Letters

文献作者:Yifu Wang; Zhiyuan Wang; Weizong Xu; Feng Zhou; Dong Zhou; Fangfang Ren; Dunjun Chen; Rong Zhang; Youdou Zheng; Hai Lu

出版日期:2024-5-

DOI号:10.1109/led.2024.3381129

下载链接:https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=10478027

文献链接:https://doi.org/10.1109/led.2024.3381129

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)


备注信息:
全部回复0 显示全部楼层

发表回复

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

返回列表