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[IEEE] 70-μm-Body Ga2O3 Schottky Barrier Diode With 1.48 K/W Thermal Resistance, 59 A Surge Current and 98.9% Conversion Efficiency

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GOOLE 发表于 2026-7-23 12:41:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：IEEE Electron Device Letters

文献作者：Hehe Gong; Feng Zhou; Xinxin Yu; Weizong Xu; Fang-Fang Ren; Shulin Gu; Hai Lu; Jiandong Ye; Rong Zhang

出版日期：2022-5-

DOI号：10.1109/led.2022.3162393

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=9741803

文献链接：https://doi.org/10.1109/led.2022.3162393

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。


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