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[IEEE] High-Voltage Quasi-Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diode With Fast Switching Characteristics

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GOOLE 发表于 2026-7-23 12:41:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：IEEE Electron Device Letters

文献作者：Feng Zhou; Weizong Xu; Fangfang Ren; Dong Zhou; Dunjun Chen; Rong Zhang; Youdou Zheng; Tinggang Zhu; Hai Lu

出版日期：2021-7-

DOI号：10.1109/led.2021.3078477

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=9427141

文献链接：https://doi.org/10.1109/led.2021.3078477

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。


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