[IEEE] 1200V SiC MOSFETs Under Dynamic Reverse Bias Testing in High-Temperature and High-Frequency Environments

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tianbaohua 发表于 2026-7-28 11:08:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:2025 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia)

文献作者:Liudan Kong; Jiuyang Tang; Jiaying Cao; Yifei Chang; Hao Guan; Yuhan Duan; Qingchun Zhang; Pan Liu

出版日期:2025-8-15

DOI号:10.1109/wipda-asia63772.2025.11184018

下载链接:https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11184018

文献链接:https://doi.org/10.1109/wipda-asia63772.2025.11184018

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