[Elsevier/Sciencedirect] DV/dt-Induced degradation and failure mechanisms in 1200 V SiC MOSFETs under dynamic reverse bias stress

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tianbaohua 发表于 2026-7-28 11:09:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Materials Science in Semiconductor Processing

文献作者:Liudan Kong; Jiuyang Tang; Jiaying Cao; Yifei Chang; Qingchun Jon Zhang; Pan Liu

出版日期:2026-5-

DOI号:10.1016/j.mssp.2026.110406

下载链接:https://www.sciencedirect.com/sc ... 369800126000028/pdf

文献链接:https://doi.org/10.1016/j.mssp.2026.110406

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