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[IEEE] Significant Threshold Voltage Lowering Induced by Contact Silicidation Annealing of FinFET

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meiwis 发表于 2026-7-30 15:44:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices

文献作者：Han-Lun Cai; Run-Ling Li; Tao Huang; Zhao-Yang Li; Zhong-Hua Li; Yu-Long Jiang

出版日期：2023-8-

DOI号：10.1109/ted.2023.3281295

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=10147299

文献链接：https://doi.org/10.1109/ted.2023.3281295

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。

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