[Elsevier/Sciencedirect] Improved interface and dark current properties of InGaAs photodiodes by high-density N2 plasma and stoichiometric Si3N4 passivation

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adamaller 发表于 2026-7-30 19:12:42 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Infrared Physics & Technology

文献作者:Ming Shi; Xiumei Shao; Hengjing Tang; Xue Li; Haimei Gong

出版日期:2022-5-

DOI号:10.1016/j.infrared.2022.104084

下载链接:https://www.sciencedirect.com/sc ... 350449522000652/pdf

文献链接:https://doi.org/10.1016/j.infrared.2022.104084

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学术小白P 发表于 2026-7-30 19:12:43 | 显示全部楼层

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