Ultra-Low Specific on-Resistance Achieved in 3.3 kV-Class SiC Superjunction MOSFET

发表于 2026-7-31 11:23:22

期刊：2021 33rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

文献作者：Masakazu Baba; Takeshi Tawara; Tadao Morimoto; Shinsuke Harada; Manabu Takei; Hiroshi Kimura

出版日期：2021-5-30

DOI号：10.23919/ispsd50666.2021.9452273

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=9452273

文献链接：https://doi.org/10.23919/ispsd50666.2021.9452273

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