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[Nature] High-transconductance molybdenum disulfide top-gate transistors using epitaxial interface engineering

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linbenhui 发表于 2026-8-3 08:26:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
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DOI号:10.1038/s41928-026-01672-7

文献链接:https://www.nature.com/articles/s41928-026-01672-7

文献作者:Yuan-Chun Su

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