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[IEEE] Highly selective radical etching of Si3N4using NF3/O2/N2/H2mixtures on 3D multilayer stack transistor integration

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zhaoshike 发表于 2026-8-3 08:53:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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期刊：2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

文献作者：Xiao Shang; Tuo Xin; Zehuan Hei; Yang Liu; Xiaodong Li; Zhonghua Jin; Baodong Han; Hongbo Sun; Chao Zhao

出版日期：2026-3-1

DOI号：10.1109/edtm65772.2026.11497284

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11497284

文献链接：https://doi.org/10.1109/edtm65772.2026.11497284

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