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[其他期刊] Effect of radio frequency bias power on SiO2 feature etching in inductively coupled fluorocarbon plasmas

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zhaoshike 发表于 2026-8-3 08:56:04 | 显示全部楼层 |阅读模式

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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena

文献作者：M. Schaepkens; G. S. Oehrlein; J. M. Cook

出版日期：2000-3-1

DOI号：10.1116/1.591285

下载链接：https://pubs.aip.org/avs/jvb/art ... 00/848_1_online.pdf

文献链接：https://doi.org/10.1116/1.591285

当前文献来源于 American Vacuum Society。

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