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[Wiley] Oxygen-Tunnel Indium Tin Oxide Vertical Channel Transistors with Enhanced Current Density and Reliability for Monolithic 3D Compute-In-Memory Systems

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linbenhui 发表于 2026-8-3 15:37:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
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DOI号:10.1002/adfm.202531989

文献链接:https://advanced.onlinelibrary.w ... tm_source=clarivate

文献作者:Gu, HYH (Gu, Hyeonho)

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leopard1234 注册会员
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leopard1234 发表于 2026-8-3 15:37:54 | 显示全部楼层

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linbenhui Lv.2
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