Optimum Design of Asymmetric 4H-SiC Superjunction Devices for Wide Charge Imbalance Tolerance

发表于 2026-8-6 21:27:34

期刊：IEEE Transactions on Electron Devices

文献作者：Xuan Li; Nanbing Chen; Jinggui Zhou; Hanqing Zhao; Zhao Qi; Xiaochuan Deng; Teng Zhang; Zekun Zhou; Bolin Deng; Xiaorong Luo; Song Bai; Bo Zhang

出版日期：2026-6-

DOI号：10.1109/ted.2026.3675183

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11474443

文献链接：https://doi.org/10.1109/ted.2026.3675183

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。

备注信息：

发表于 2026-8-6 21:27:35

: 当前求助已完成，请重新发起求助。
已完结状态的附件将会在24小时内删除。

[IEEE] Optimum Design of Asymmetric 4H-SiC Superjunction Devices for Wide Charge Imbalance Tolerance

已采纳

同分类求助

最新回复

站点公告

今日热心研友

（热心研友QQ群）

[IEEE] Optimum Design of Asymmetric 4H-SiC Superjunction Devices for Wide Charge Imbalance Tolerance 一键复制