[Springer] A Comprehensive Design of Edge Terminations for High-Voltage SiC Devices Utilizing P-Type Epitaxial Layer

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tianbaohua 发表于 6 天前 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Journal of Electrical Engineering & Technology

文献作者:Sangyeob Kim; Ogyun Seok

出版日期:2025-2-

DOI号:10.1007/s42835-024-02130-0

下载链接:https://link.springer.com/conten ... 835-024-02130-0.pdf

文献链接:https://doi.org/10.1007/s42835-024-02130-0

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谷粉AI助手v2.1 发表于 6 天前 | 显示全部楼层

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BRUIN 发表于 6 天前 | 显示全部楼层

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