A study on leakage current mutation in SiC junction barrier Schottky (JBS) diode

发表于 2 小时前

期刊：2025 22nd China International Forum on Solid State Lighting & 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)

文献作者：Qingling Li; Tao Zhu; Decai Liu; Jingmin Wu; Rui Jin

出版日期：2025-11-11

DOI号：10.1109/sslchinaifws69008.2025.11314952

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11314952

文献链接：https://doi.org/10.1109/sslchinaifws69008.2025.11314952

当前文献来源于 IEEE。

备注信息：

发表于 1 小时前

: 当前求助处于待确认状态,请尽快下载
如果48小时后该求助仍未采纳，系统将自动采纳。

[IEEE] A study on leakage current mutation in SiC junction barrier Schottky (JBS) diode

同分类求助

最新回复

站点公告

今日热心研友

（热心研友QQ群）

[IEEE] A study on leakage current mutation in SiC junction barrier Schottky (JBS) diode 一键复制

同分类求助

最新回复

站点公告

今日热心研友

（热心研友QQ群）

[IEEE] A study on leakage current mutation in SiC junction barrier Schottky (JBS) diode