[IOP] Deep-level transient spectroscopy and Hall effect studies of NTD silicon with different initial resistivities

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nkpdsy 发表于 2026-8-24 20:25:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Semiconductor Science and Technology

文献作者:T Maekawa; S Inoue; A Usami

出版日期:1988-7-1

DOI号:10.1088/0268-1242/3/7/004

下载链接:http://stacks.iop.org/0268-1242/3/i=7/a=004/pdf

文献链接:https://doi.org/10.1088/0268-1242/3/7/004

当前文献来源于 IOP Publishing。


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