[Elsevier/Sciencedirect] An improved 4H-SiC trench MOS barrier Schottky diode with current spreading layer and low resistance layer

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tianbaohua 发表于 2026-8-27 11:21:24 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Microelectronics Journal

文献作者:Hai-tao Ge; Wang-zi-xuan Zhen; Cheng-hao Yu; Masayuki yamamoto; Wen-sheng Zhao; Hao-min Guo; Xiao-dong Wu

出版日期:2024-12-

DOI号:10.1016/j.mejo.2024.106451

下载链接:https://www.sciencedirect.com/sc ... 879239124001553/pdf

文献链接:https://doi.org/10.1016/j.mejo.2024.106451

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学术小白P 发表于 2026-8-27 11:21:25 | 显示全部楼层

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123456gong 发表于 2026-8-27 11:22:07 | 显示全部楼层

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