[IEEE] Analyzing the Changes in the Third Quadrant Characteristics of SiC MOSFET Induced by Threshold Drift

tianbaohua 发表于 昨天 10:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices

文献作者:Lei Tang; Huaping Jiang; Ruijin Liao; Xiaohan Zhong; Ke Zhao; Nianlei Xiao; Yihan Huang

出版日期:2024-4-

DOI号:10.1109/ted.2024.3362773

下载链接:https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=10436063

文献链接:https://doi.org/10.1109/ted.2024.3362773

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)


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学术小白P 发表于 昨天 11:09 | 显示全部楼层

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