Novel metallization processes for sub-100 nm magnetic tunnel junction devices

发表于 2026-9-1 17:25:24

期刊：Microelectronic Engineering

文献作者：Kaihua Cao; Hushan Cui; Youguang Zhang; Huagang Xiong; Jiaqi Wei; Lezhi Wang; Wenlong Cai; Yizheng Liu; Pan Liu; Xiaobin He; Junjie Li; Guobin Bai; Jiahan Yu; Jianghao Han; Jianfeng Gao; Qifeng Jiang; Yanpeng Hu; Lin Li; Bo Tang; Yue Zhang; Peng Zhang; Qihui Zhang; Shi Liu; Yihong Lu; Tao Yang; Junfeng Li; Henry H. Radamson; Chao Zhao; Weisheng Zhao

出版日期：2019-3-

DOI号：10.1016/j.mee.2019.01.010

下载链接：https://www.sciencedirect.com/sc ... 167931718304167/pdf

文献链接：https://doi.org/10.1016/j.mee.2019.01.010

当前文献来源于 Elsevier BV。

备注信息：

发表于 2026-9-1 17:25:25

: 当前求助已完成，请重新发起求助。
已完结状态的附件将会在24小时内删除。

[Elsevier/Sciencedirect] Novel metallization processes for sub-100 nm magnetic tunnel junction devices

已采纳

同分类求助

最新回复

站点公告

今日热心研友

（热心研友QQ群）

[Elsevier/Sciencedirect] Novel metallization processes for sub-100 nm magnetic tunnel junction devices 一键复制