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[ACS] High-Temperature-Stable Polycrystalline ALD-InGaO Channels Enabled by Buffer-Layer Engineering

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liyuzhi 发表于 2026-9-2 11:40:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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期刊：ACS Applied Electronic Materials

文献作者：Dong-Gyu Kim; Hye-Jin Oh; Tae Woong Cho; Jae-Hyeok Kwag; Jaeseok Hur; Sunghyun Choi; Kwangmin Park; Jin-Seong Park

出版日期：2026-4-14

DOI号：10.1021/acsaelm.6c00118

下载链接：https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsaelm.6c00118

文献链接：https://doi.org/10.1021/acsaelm.6c00118

当前文献来源于 American Chemical Society (ACS)。

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