[ACS] Nitrogen Doping Strategy in SiO2 Insulators for Stable and Hydrogen-Resistant ALD–IGZO TFTs

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liyuzhi 发表于 2026-9-2 11:46:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:ACS Applied Materials & Interfaces

文献作者:Tae Heon Kim; Dong-Gyu Kim; Sang-Hyun Kim; Tae-Kyung Kim; Ki-Cheol Song; Yeonhee Lee; Jin-Seong Park

出版日期:2025-4-2

DOI号:10.1021/acsami.4c22748

下载链接:https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.4c22748

文献链接:https://doi.org/10.1021/acsami.4c22748

当前文献来源于 American Chemical Society (ACS)。


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