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[ACS] Reliability Improvement of High Mobility Oxide TFTs Based on Hydrogen-Resistant PEALD Al2O3 Gate Insulators Grown with N2O Plasma

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liyuzhi 发表于 2026-9-2 11:47:55 | 显示全部楼层 |阅读模式

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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces

文献作者：Sang-Hyun Kim; Yoon-Seo Kim; Taewon Hwang; Tae Heon Kim; Haklim Koo; Joon Seok Park; Jin-Seong Park

出版日期：2025-3-5

DOI号：10.1021/acsami.4c18561

下载链接：https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.4c18561

文献链接：https://doi.org/10.1021/acsami.4c18561

当前文献来源于 American Chemical Society (ACS)。

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