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[IEEE] Reliability Analysis on the Gate Oxide, Body Diode and Package of SiC MOSFET: A Survey

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Yizhang001 发表于 2026-9-3 07:28:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：2025 IEEE 3rd International Power Electronics and Application Symposium (PEAS)

文献作者：Junyin Fu; Yongdong Li; Zedong Zheng

出版日期：2025-11-7

DOI号：10.1109/peas66638.2025.11403801

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11403801

文献链接：https://doi.org/10.1109/peas66638.2025.11403801

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