[IOP] A novel SiC high-k superjunction power MOSFET integrated Schottky barrier diode with improved forward and reverse performance

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powerdevice 发表于 2026-9-4 10:56:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Journal of Semiconductors

文献作者:Moufu Kong; Zewei Hu; Ronghe Yan; Bo Yi; Bingke Zhang; Hongqiang Yang

出版日期:2023-5-1

DOI号:10.1088/1674-4926/44/5/052801

下载链接:https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1674-4926/44/5/052801

文献链接:https://doi.org/10.1088/1674-4926/44/5/052801

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