[Springer] High-performance SiC superjunction MOSFET with integrated high-k MOS channel diode for optimized switching characteristics and high-temperature robustness

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powerdevice 发表于 2026-9-4 11:01:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Journal of Power Electronics

文献作者:Chengxi Ding; Yun-Duo Guo; Qimin Huang; Wei Huang; Hong-Ping Ma; Qing-Chun Zhang

出版日期:2026-3-

DOI号:10.1007/s43236-025-01096-0

下载链接:https://link.springer.com/conten ... 236-025-01096-0.pdf

文献链接:https://doi.org/10.1007/s43236-025-01096-0

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梦之泪伤a 发表于 2026-9-4 11:01:18 | 显示全部楼层

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