[Elsevier/Sciencedirect] A novel deep P-base contact 4H-SiC trench MOSFET with enhanced short circuit robustness

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Yizhang001 发表于 2026-9-5 09:25:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Microelectronics Journal

文献作者:Rashid Jamal; Partha Sarathi Gupta; Hafizur Rahaman

出版日期:2026-10-

DOI号:10.1016/j.mejo.2026.107376

下载链接:https://www.sciencedirect.com/sc ... 879239126003322/pdf

文献链接:https://doi.org/10.1016/j.mejo.2026.107376

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T-Mac麦蒂 发表于 2026-9-5 09:25:27 | 显示全部楼层

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