[IOP] PWM-induced lifetime enhancement in commercial 4H-SiC MOSFET gate oxides and the associated physical mechanisms of interface traps

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Yizhang001 发表于 2026-9-5 09:31:47 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Journal of Physics D: Applied Physics

文献作者:Jiahui Yan; Faci Cheng; Xi Luo; Yuebo Liu; Wen Yang

出版日期:--

DOI号:10.1088/1361-6463/ae9c4e

下载链接:https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/ae9c4e

文献链接:https://doi.org/10.1088/1361-6463/ae9c4e

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woshi123 发表于 2026-9-5 09:31:48 | 显示全部楼层

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