5.1 A EOT and low leakage TiN/Al2O3/Hf0.5Zr0.5O2/Al2O3/TiN heterostructure for DRAM capacitor

发表于 2026-9-8 10:00:12

期刊：Applied Physics Letters

文献作者：Zhen Luo; Xinzhe Du; Hui Gan; Yue Lin; Wensheng Yan; Shengchun Shen; Yuewei Yin; Xiaoguang Li

出版日期：2023-5-9

DOI号：10.1063/5.0145824

下载链接：https://pubs.aip.org/aip/apl/art ... 903_1_5.0145824.pdf

文献链接：https://doi.org/10.1063/5.0145824

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