The need for deep etching to fabricate Ga-free InAs/InAsSb T2SL XBn midwave infrared photodetector?

发表于 2026-9-8 14:20:19

期刊：Electro-Optical and Infrared Systems: Technology and Applications XVIII and Electro-Optical Remote Sensing XV

文献作者：Maxime Bouschet; Vignesh Arounassalame; Rodolphe Alchaar; Clara Bataillon; Jean-Philippe Perez; Nicolas Péré-Laperne; Isabelle Ribet-Mohamed; Philippe Christol

出版日期：2021-9-12

DOI号：10.1117/12.2600113

文献链接：https://doi.org/10.1117/12.2600113

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发表于 2026-9-8 14:20:20

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