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[IEEE] Effect of Plasma Etch Chamber Cathode Ground Plane Design on Semiconductor Process Induced Wafer Arcing with High DC Bias

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zhaoshike 发表于 2026-9-9 09:25:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：2026 IEEE International Conference on Plasma Science (ICOPS)

文献作者：Shawming Ma

出版日期：2026-6-

DOI号：10.1109/icops53334.2026.11660251

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11660251

文献链接：https://doi.org/10.1109/icops53334.2026.11660251

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