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[IEEE] Why is nonvolatile ferroelectric memory field-effect transistor still elusive?

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huangrl 发表于 2026-9-11 15:13:27 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：IEEE Electron Device Letters

文献作者：T.P. Ma;  Jin-Ping Han

出版日期：2002-7-

DOI号：10.1109/led.2002.1015207

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=1015207

文献链接：https://doi.org/10.1109/led.2002.1015207

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。


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