Interface engineering of 9X stacked 3D NAND flash memory using hydrogen post-treatment annealing

发表于 3 天前

期刊：Nanotechnology

文献作者：Saeyan Choi; Seungsob Kim; Seain Bang; Jungchun Kim; Dong Geun Park; Seunghee Jin; Min Jung Kim; Eunmee Kwon; Jae Woo Lee

出版日期：2023-1-8

DOI号：10.1088/1361-6528/ac97a1

下载链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ac97a1

文献链接：https://doi.org/10.1088/1361-6528/ac97a1

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