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Effects of proton implantation for expansion of basal plane dislocations in SiC toward suppression of bipolar degradation: review and perspective

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SiC23 发表于 2026-9-16 18:21:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
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DOI号:10.35848/1347-4065/ad1779

文献链接:https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ad1779

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