[IOP] Study on the effect of different InAs growth rates on the photoluminescence properties of InAs/GaAs submonolayer quantum dots

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dhdhjcbb 发表于 2026-9-22 11:13:50 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Physica Scripta

文献作者:Ke Han; Jing Zhang; Shufang Ma; ZiHao Zhuo; Ruisi Cheng; Yuhao Zhou; Bingshe Xu

出版日期:2026-3-20

DOI号:10.1088/1402-4896/ae4dc1

下载链接:https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1402-4896/ae4dc1

文献链接:https://doi.org/10.1088/1402-4896/ae4dc1

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林心佑 发表于 2026-9-22 11:13:51 | 显示全部楼层

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