MOSFET Gate Driver Circuit Design for High Repetitive (200 kHz) High Voltage (10 kV) Solid-State Pulsed-Power Modulator

发表于 2026-9-24 08:29:13

期刊：IEEE Transactions on Power Electronics

文献作者：Hyun-Bin Jo; Seung-Ho Song; Seung-Hee Lee; Hong-Je Ryoo

出版日期：2021-9-

DOI号：10.1109/tpel.2021.3062612

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=9364739

文献链接：https://doi.org/10.1109/tpel.2021.3062612

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。

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