收藏本站 万方检测 维普检测 中文降重 英文语法检测 Turnitin UK版 Turnitin 国际版
登录 注册

文献互助-谷粉互助｜10秒响应文献互助平台

[IOP] Structural investigation of ultra-low resistance deeply recessed sidewall ohmic contacts for AlGaN/GaN HEMTs based on Ti/Al/Ti-metallization

ZHAOKE961121 发表于 1 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式
此帖将于 2026-10-14 18:51 自动关闭
悬赏10积分

期刊：Semiconductor Science and Technology

文献作者：Ding-Yuan Chen; Axel R Persson; Vanya Darakchieva; Per O A Persson; Jr-Tai Chen; Niklas Rorsman

出版日期：2023-10-1

DOI号：10.1088/1361-6641/acf396

下载链接：https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/acf396

文献链接：https://doi.org/10.1088/1361-6641/acf396

当前文献来源于 IOP Publishing。


备注信息：
回复

使用道具 捐赠获取积分 应助有误反馈

全部回复0 显示全部楼层

发表回复

高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

ZHAOKE961121 Lv.2
注册会员

  • 发布

  • 回复

  • 积分

    50

同分类求助

最新回复

站点公告

今日热心研友

（热心研友QQ群）


返回列表