Enhanced Ti-Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors through SiNx-Assisted TiNx Formation

发表于昨天 23:39

期刊：ACS Applied Electronic Materials

文献作者：Tsung-Han Chiang; You-Chen Weng; Chee-How Lu; Le Trung Hieu; Ching-Wen Chang; Hui Chun Huang; Chun I Kuo; Ashish Kumar Sahoo; Min-Lu Kao; Paritosh V. Wadekar; Quark Yungsung Chen; Edward Yi Chang

出版日期：2025-5-13

DOI号：10.1021/acsaelm.4c02207

下载链接：https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsaelm.4c02207

文献链接：https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c02207

当前文献来源于 American Chemical Society (ACS)。

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