当前位置: »论坛 › 科研专区 › 文献互助› Effect of Si donor doping concentration in AlGaN qua ...

[SPIE] Effect of Si donor doping concentration in AlGaN quantum barriers on band alignment and carrier injection in InGaN blue light-emitting diodes

求助已关闭

amoylzm 发表于 2026-10-22 10:13:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

悬赏50积分

本帖最后由 amoylzm 于 2026-10-22 11:47 编辑

期刊：6th International Conference on Laser, Optics, and Optoelectronic Technology (LOPET 2026)

文献作者：Hongrui Zhao

出版日期：2026-8-15

DOI号：10.1117/12.3122865

文献链接：https://doi.org/10.1117/12.3122865

当前文献来源于 SPIE。

备注信息：

使用道具捐赠获取积分应助有误反馈