High Si and Ge n-type doping of GaN doping - Limits and impact on stress

发表于 5 天前

期刊：Applied Physics Letters

文献作者：S. Fritze; A. Dadgar; H. Witte; M. Bügler; A. Rohrbeck; J. Blasing; A. Hoffmann; A. Krost

出版日期：2012-3-19

DOI号：10.1063/1.3695172

下载链接：https://pubs.aip.org/aip/apl/art ... 122104_1_online.pdf

文献链接：https://doi.org/10.1063/1.3695172

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